1927激光作用(193激光器)
193激光器
1.双工件台华卓精科自2012年成立，用了10年的时间，在双工件台技术方面，取得了重大突破。2016年，华卓精科与清华大学共同研制出两套光刻机双工件台掩膜台系统α样机，并成功通过验收。2020年4月，华卓精科向上海微电子发货首台DWS双工件台，应用制程达到65nm；2021年6月，完成28nm制程ArFi光刻机的DWSi系列双工件台的详细设计，已在样机制造集成调试阶段。这项技术的重要性，不言而喻，加上华卓精科全世界只有两家拥有该技术。因此，攻破双工件台技术的壁垒，不仅打破了国外的技术垄断，更为国产光刻机的研发提供了技术保证。
2.光源系统技术国内研究光刻机的光源系统技术，属北京科益虹源最为成熟，也成功掌握了193nm ArF准分子激光器制造，可用于28nmDUV光刻机上。
193激光器主要性能参数
有代差，主要是光源波长差距很大。
首先要说没有7nm光刻机，应该是euv13.5纳米极紫外光光源光刻机。28nm光刻机属于中高端duv光刻机，其光源为193nm深紫外光光源，是准分子激光器用氟化氩。而euv是离子激光轰击锡滴产生13.5nm极紫外光，其难度非常大，两者有代差。
193激光器使用技巧
光学duv，主要是指波长小于i-line365nm的紫外光，一般工业上有193arf和248nmkrf的的激光。用的都是化学增幅型的光刻胶。
光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。
duv光刻机和euv光刻机区别
1.基本上duv只能做到25nm，而euv能够做到10nm以下晶圆的生产。
2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，内部必须是真空操作。
193nm激光器
不能做到120纳米。
所谓duv光源就是指duv光刻机的深紫外光光源，其光源波长是193纳米或248纳米，其中193纳米是目前常用的duv光源。193nm氟化氩激光器作为光源使用掩膜版微缩投影技术结合浸润系统实现134nm光刻，但其光源本身就是193纳米的，这是深紫外光波长的下限，不能做到120纳米。
976激光器
光惠（上海）激光科技有限公司（以下简称“GW”）
于春节前完成近亿元融资。本次B轮融资由前启明创投合伙人张勇、尹明等创立的启高资本领投、飞马资本等跟投。此轮融资将用于拓展及完善基于976nm技术路线的万瓦激光器产品线。
据介绍，GW的核心竞争力在于其自主产权的双向976nm单腔高功率泵浦技术、高亮度单模组激光器技术、成熟的万瓦级光纤激光技术，40%以上的高光电转化效率的976nm技术在万瓦级产品上竞争优势明显。
“光纤激光器产业的发展也符合遵循摩尔定律，即性能及效率不断提高，价格不断降低，应用场景持续扩大，规模效应非常明显。产业链的不断成熟，激光器的核心器件国产化率不断提高，激光器的成本不断下降。国内典型光纤激光器企业锐科激光及创鑫激光自2016年以来每年的成本下降幅度均超过20％。”GW首席战略官夏庆告诉36氪，“可以说大功率和低成本是光纤激光器发展的必须方向。”
而GW的976nm泵浦技术，功率和成本优势都很突出。976nm泵浦技术的电光转换效率大于40%，可以更高的吸收率、节约40%的掺镱光纤成本；且该技术非线性效应更小，基于此，可以实现以3kw及以上激光峰值的单模组取代多模组激光器，从而也能降低10-20%的模组成本。
另外，976nm泵浦技术应用难度更大，目前全球范围内也只有IPG、Rofin Coherent等少数巨头首先突破并实现976nm泵浦技术工业化规模生产制造。
“976nm泵浦技术由于温度敏感性高、技术难度高，多数厂家尚不能完全工业规模化。目前，工业大规模应用的主流是915nm泵浦技术路线。但976nm泵浦技术相较于它来说，未来成本和功率都将具备优势，有望逐渐成为高功率光纤激光器发展的主流技术路线。”夏庆说，“以GW的10kW的激光器为例，976nm泵浦激光器一年将比其他技术路线省电近10万元，整个寿命期的节能费用接近甚至未来可能高于一台10kW激光器的价格，竞争优势极为明显。”
